Electrical activity of Er and Er-O centers in silicon - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015) Année : 2005

Electrical activity of Er and Er-O centers in silicon

D. Prezzi
  • Fonction : Auteur
A. G. Eberlein T.
  • Fonction : Auteur
R. Jones
  • Fonction : Auteur
S. Filhol J.
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de structure et de dynamique des systèmes moléculaires et solides
J. Coutinho
  • Fonction : Auteur
J. Shaw M.
  • Fonction : Auteur
R. Briddon P.
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00020412

Soumis le : jeudi 9 mars 2006-17:13:08

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:47

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00020412 , version 1 (09-03-2006)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00020412 , version 1

Citer

D. Prezzi, A. G. Eberlein T., R. Jones, S. Filhol J., J. Coutinho, et al.. Electrical activity of Er and Er-O centers in silicon. Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), 2005, 71, pp.245203. ⟨hal-00020412⟩

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