Growth of strained GaSub 1-xIn Sub x players on GaP (001) by gas source molecular beam epitaxy similarities and differences with the growth of strained arsenides - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Crystal Growth Année : 2001

Growth of strained GaSub 1-xIn Sub x players on GaP (001) by gas source molecular beam epitaxy similarities and differences with the growth of strained arsenides

Véronique Gysembergh  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00018481

Soumis le : vendredi 3 février 2006-09:54:28

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

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Dates et versions

hal-00018481 , version 1 (03-02-2006)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00018481 , version 1

Citer

X. Wallart, D. Deresmes, F. Mollot. Growth of strained GaSub 1-xIn Sub x players on GaP (001) by gas source molecular beam epitaxy similarities and differences with the growth of strained arsenides. Journal of Crystal Growth, 2001, 227-228, pp.255. ⟨hal-00018481⟩

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