TCAD Simulations of Leakage Currents Induced by SDRAM Single-Event Cell Degradation - Mathématiques, Informatique, Physique et Systèmes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2016
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01824785 , version 1 (27-06-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01824785 , version 1

Citer

A. Rodriguez, Frédéric Wrobel, A. Michez, Antoine Touboul, F. Bezerra, et al.. TCAD Simulations of Leakage Currents Induced by SDRAM Single-Event Cell Degradation. IEEE RADECS 2016, 2016, Brême, Germany. ⟨hal-01824785⟩
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