semiconductor and magnetic nanowires: addressing, electrical and magnetic characterization and applications
Nanofils magnétiques et semiconducteurs: adressage, caractérisation electriques et magnétiques et applications
Nanofios magnéticos e semicondutores: alinhamento, caracterizações elétricas e magnéticas e Aplicações.
Résumé
La nanotechnologie a pris un rôle clé dans le développement technologique actuel de façon extrêmement grande et interdisciplinaire. L'utilisation de nanofils dans la construction de structures/dispositifs plus complexe peut être entrevue en raison de sa polyvalence. Comprendre la fabrication de nanofils et être capable de les caractériser est extrêmement important pour ce développement. Des dispositifs à base de nanofils semi-conducteurs et ferromagnétiques ont été étudiés dans cette thèse, abordant les techniques de croissance et d'adressage pour des caractérisations électroniques et structurelles, et pour des développements à grande échelle pour des applications industrielles. Les nanofils de cobalt ont été électro déposés à différents pH permettant d’associer le pH de la solution à la caractérisation de la structure cristalline. Les nanofils de semiconducteurs ont été crus par CVD. L'adressage et l'alignement des nanofils ont été faits par diélectrophorèse couplé avec l’assemblage capillaire. Pour caractériser les nanofils, des techniques de lithographie optique et électronique ont été utilisés pour la fabrication des contacts. Une étude d'interface matériaux semiconducteurs/siliciure a été réalisée démontrant que les valeurs de barrière Schottky sont différentes entre des nanofils de silicium et des matériaux massifs. Dans le cas de nanofils InAs la barrière est imperceptible et il a été constaté que le fil de ZnO était de type p. Les applications ont démontrées différents dispositifs, tels que les transistors, les vannes de spin, capteurs de gaz, de l'humidité et de la lumière. Dans le cadre de vannes de spin, la caractérisation de l'interface semiconducteur/ferromagnétique a permis d’associer la valeur de la hauteur de barrière de Schottky à l'épaisseur de SiO2, qui agit comme une barrière à effet tunnel. Grâce aux mesures de transistors à effet de champ (FET) , nous avons pu identifier le type de porteurs de charge pour chaque matériau, extraire leur mobilité, la tension de seuil... Les capteurs ont été fabriqués à base de nanofils en Si, InAs, et ZnO, afin d'être utilisés comme capteurs de lumière, l'humidité et les gaz. Cette thèse propose une amélioration des technologiques actuelles d'adressage de nanostructures et l'utilisation des propriétés à l'échelle nanométrique pour des dispositifs plus efficaces et une large applicabilité, fournissant la base pour de futures études et les réalisations pratiques des nanosciences et des nanotechnologies.
A nanotecnologia vem tomando papel fundamental no desenvolvimento tecnológico atual de forma extremamente crescente e interdisciplinar. A utilização de nanofios na construção de estruturas/dispositivos mais complexos é possível devido a sua versatilidade. Entender a fabricação dos nanofios e ser capaz de caracterizá-los se torna extremamente importante para esse desenvolvimento. Dispositivos baseados em nanofios semicondutores e ferromagnéticos foram estudados nesta tese, abordando técnicas de crescimento e endereçamento, tanto para caracterizações eletrônicas e estruturais, quanto para aplicações em uso industrial de larga escala. Nanofios de cobalto foram eletrodepositados em diferentes pHs permitindo associar o pH da solução com a caracterização da estrutura cristalina. Nanofios semicondutores foram crescidos por CVD. O alinhamento e endereçamento dos nanofios foi feito através da técnica de dieletroforese acoplada à montagem capilar. Para a caracterização dos nanofios foram utilizadas técnicas de litografia óptica e eletrônica para a fabricação dos contatos. Um estudo da interface material semicondutor/silicidação foi realizado, verificando-se diferentes valores de barreira Schottky entre nanofios de silício e materiais massivos. No caso de nanofios de InAs um valor de barreira imperceptível foi encontrado e foi constatado que o fio de ZnO era do tipo p. Como aplicações foram fabricados diferentes dispositivos, como: transistores, válvulas de spin laterais, sensores de gás, humidade e luminosidade. Dentro do contexto de válvulas de spin foi estudada a caracterização da interface semicondutor/ferromagnético de forma a associar o valor da altura da barreira Schottky à espessura de SiO2, o qual age como barreira túnel. Através das medidas de transistor de efeito de campo (FET) a base de nanofios semicondures foi possível verificar o tipo de portadores de carga para cada material, extrair sua mobilidade, voltagem de threshold, entre outros. Os sensores fabricados foram feitos de nanofios de Si, InAs e ZnO, com o intuito de serem usados como sensores de luminosidade, humidade e gases. Foi verificada a sensibilidade do nanofio de ZnO para intensidade luminosa, nanofios de Si e InAs tanto à humidade quanto à detecção de gases poluentes, a exemplo, NO2. Esta tese é um avanço em relação ao cenário atual tecnológico de endereçamento de nanoestruturas e a utilização de propriedades da escala nano para dispositivos mais eficientes e de larga aplicabilidade, servindo de base para estudos futuros e implementações práticas em nanociência e nanotecnologia."