Epitaxial growth of GdN on silicon substrate using an AlN buffer layer

F. Natali; N. Plank; J. Galipaud; B.J. Ruck; H. J. Trodahl; F. Semond; S. Sorieul; L. Hirsch

doi:10.1016/j.jcrysgro.2010.09.030

Article Dans Une Revue Journal of Crystal Growth Année : 2010

Epitaxial growth of GdN on silicon substrate using an AlN buffer layer

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F. Natali

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Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications

S. Sorieul

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L. Hirsch

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Soumis le : lundi 11 avril 2011-22:52:33

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11

Dates et versions

in2p3-00585159 , version 1 (11-04-2011)

Identifiants

HAL Id : in2p3-00585159 , version 1
DOI : 10.1016/j.jcrysgro.2010.09.030

Citer

F. Natali, N. Plank, J. Galipaud, B.J. Ruck, H. J. Trodahl, et al.. Epitaxial growth of GdN on silicon substrate using an AlN buffer layer. Journal of Crystal Growth, 2010, 312, pp.3583-3587. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2010.09.030⟩. ⟨in2p3-00585159⟩

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