Article Dans Une Revue
Applied physics. A, Materials science & processing
Année : 1990
Yvette Heyd : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.in2p3.fr/in2p3-00016162
Soumis le : jeudi 29 juin 2000-08:30:59
Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : in2p3-00016162 , version 1
Citer
A. Slaoui, F. Foulon, R. Stuck, P. Siffert. Boron doping of silicon by excimer laser irradiation in a reactive atmosphere. The incorporation mechanism. Applied physics. A, Materials science & processing, 1990, 50, pp.479. ⟨in2p3-00016162⟩
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