Comparison between ion beam and thermal annealing-induced solid epitaxy in Fe-implanted Si - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Chapitre D'ouvrage Année : 1994

Comparison between ion beam and thermal annealing-induced solid epitaxy in Fe-implanted Si

X.W. Lin
  • Fonction : Auteur
J. Desimoni
  • Fonction : Auteur
Centre de Spectrométrie Nucléaire et de Spectrométrie de Masse
H. Bernas
  • Fonction : Auteur
Centre de Spectrométrie Nucléaire et de Spectrométrie de Masse
Z. Liliental-Weber
  • Fonction : Auteur
J. Washburn
  • Fonction : Auteur

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https://hal.in2p3.fr/in2p3-00001719

Soumis le : mardi 20 avril 1999-15:51:26

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00001719 , version 1 (20-04-1999)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00001719 , version 1

Citer

X.W. Lin, J. Desimoni, H. Bernas, Z. Liliental-Weber, J. Washburn. Comparison between ion beam and thermal annealing-induced solid epitaxy in Fe-implanted Si. Silicides, germanides and their interfaces, M.R.S., pp.97-102, 1994, Materials Research Society Symposia Proceedings. ⟨in2p3-00001719⟩

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