Transmission electron microscopy study of ion implantation induced Si amorphization - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Année : 1983
Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00001502 , version 1 (13-04-1999)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00001502 , version 1

Citer

M.O. Ruault, J. Chaumont, H. Bernas. Transmission electron microscopy study of ion implantation induced Si amorphization. International Conference on Ion Beam Modification of Materials 3, Sep 1982, Grenoble, France. pp.351-356. ⟨in2p3-00001502⟩
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