Modelling of self-heating effect in FDSOI and bulk MOSFETs operated in deep cryogenic conditions - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2022

Modelling of self-heating effect in FDSOI and bulk MOSFETs operated in deep cryogenic conditions

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Gerard Ghibaudo  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-03599251

Soumis le : lundi 7 mars 2022-09:16:12

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:30:20

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Dates et versions

hal-03599251 , version 1 (07-03-2022)

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Citer

G. Ghibaudo, M. Cassé, F. Serra Di Santa Maria, C. Theodorou, F. Balestra. Modelling of self-heating effect in FDSOI and bulk MOSFETs operated in deep cryogenic conditions. Solid-State Electronics, 2022, 192, pp.108265. ⟨10.1016/j.sse.2022.108265⟩. ⟨hal-03599251⟩

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