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Article Dans Une Revue IEEE Electron Device Letters Année : 2021

A Novel Trench-Based Triple Gate Transistor With Enhanced Driving Capability

R. Gay
V. Della Marca
Hassen Aziza
Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence
CV
M. Mantelli
  • Fonction : Auteur
F. Trenteseaux
  • Fonction : Auteur
F. La Rosa
  • Fonction : Auteur
STMicroelectronics [Rousset]
A. Regnier
  • Fonction : Auteur
STMicroelectronics [Rousset]
S. Niel
  • Fonction : Auteur
STMicroelectronics [Rousset]
A. Marzaki

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique
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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

HASSAN AZIZA  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-03504285

Soumis le : mercredi 29 décembre 2021-01:19:30

Dernière modification le : mardi 5 décembre 2023-18:08:07

Archivage à long terme le : mercredi 30 mars 2022-18:02:49

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Dates et versions

hal-03504285 , version 1 (29-12-2021)

Identifiants

Citer

R. Gay, V. Della Marca, Hassen Aziza, M. Mantelli, F. Trenteseaux, et al.. A Novel Trench-Based Triple Gate Transistor With Enhanced Driving Capability. IEEE Electron Device Letters, 2021, 42 (6), pp.832-834. ⟨10.1109/LED.2021.3076609⟩. ⟨hal-03504285⟩

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