Growth of gold-free hexagonal Ge on GaAs nanowires by molecular beam epitaxy
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)
Communication Dans Un Congrès
Année : 2021
Nicolas Chauvin : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-03351426
Soumis le : mardi 28 septembre 2021-09:02:20
Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:23
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-03351426 , version 1
Citer
Iuliia Dudko, Thomas Dursap, Philippe Regreny, Claude Botella, Anne Lamirand, et al.. Growth of gold-free hexagonal Ge on GaAs nanowires by molecular beam epitaxy. E-MRS Fall Meeting 2021, Sep 2021, Varsovie (VIRTUAL Conference), Poland. ⟨hal-03351426⟩
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