Impact of Hot Carrier Aging on the 1/f and Random Telegraph Noise of Short-Channel Triple-Gate Junctionless MOSFETs - Archive ouverte HAL

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Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Device and Materials Reliability Année : 2021

Impact of Hot Carrier Aging on the 1/f and Random Telegraph Noise of Short-Channel Triple-Gate Junctionless MOSFETs

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Theodoros Oproglidis

Fonction : Auteur

Aristotle University of Thessaloniki, Department of Physics

Theano Karatsori

Fonction : Auteur

Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation

Christoforos Theodorou

Fonction : Auteur

Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation

Andreas Tsormpatzoglou

Fonction : Auteur

Aristotle University of Thessaloniki, Department of Physics

Sylvain Barraud

Fonction : Auteur

Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

Gerard Ghibaudo

Fonction : Auteur
PersonId : 170596
IdHAL : gerard-ghibaudo
ORCID : 0000-0001-9901-0679
IdRef : 069253099

Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation

Charalabos Dimitriadis

Fonction : Auteur

Aristotle University of Thessaloniki, Department of Physics

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Gerard Ghibaudo : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-03334750

Soumis le : dimanche 5 septembre 2021-08:35:36

Dernière modification le : mercredi 15 mai 2024-13:42:16

Dates et versions

hal-03334750 , version 1 (05-09-2021)

Identifiants

HAL Id : hal-03334750 , version 1
DOI : 10.1109/TDMR.2021.3094510

Citer

Theodoros Oproglidis, Theano Karatsori, Christoforos Theodorou, Andreas Tsormpatzoglou, Sylvain Barraud, et al.. Impact of Hot Carrier Aging on the 1/f and Random Telegraph Noise of Short-Channel Triple-Gate Junctionless MOSFETs. IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 2021, 21 (3), pp.348-353. ⟨10.1109/TDMR.2021.3094510⟩. ⟨hal-03334750⟩

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