Electronic Properties of WS 2 /WSe 2 Heterostructure Containing Te Impurity: The Role of Substituting Position - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue International Journal of Nanoscience Année : 2019

Electronic Properties of WS 2 /WSe 2 Heterostructure Containing Te Impurity: The Role of Substituting Position

A. Krivosheeva
  • Fonction : Auteur
V. Shaposhnikov
  • Fonction : Auteur
V. e. Borisenko
  • Fonction : Auteur
J.-L. Lazzari
Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de Marseille
CV

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Physique [physics]
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Krivosheeva2019 Electronic properties of WS2 WSe2 heterostructure containing Te impurity the role of substituting position.pdf (621.04 Ko) Télécharger le fichier
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hal-03144479 , version 1 (17-02-2021)

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Citer

A. Krivosheeva, V. Shaposhnikov, V. e. Borisenko, J.-L. Lazzari. Electronic Properties of WS 2 /WSe 2 Heterostructure Containing Te Impurity: The Role of Substituting Position. International Journal of Nanoscience, 2019, 18 (03n04), pp.1940007. ⟨10.1142/S0219581X19400076⟩. ⟨hal-03144479⟩

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