Reliability and Variability of 1S1R OxRAM-OTS for High Density Crossbar Integration

D. Alfaro Robayo (1) , D. Deleruyelle (2) , E. Vianello (1) , N. Castellani (1) , L. Ciampolini (1) , B. Giraud (1) , C. Cagli (1) , G. Ghibaudo (3) , E. Nowak (1) , G. Molas (1) , G. Sassine (1) , J. Minguet Lopez (1) , L. Grenouillet (1) , A. Verdy (1) , G. Navarro (1) , M. Bernard (1) , E. Esmanhotto (1) , C. Carabasse (1)

1 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
2 INL - DE - INL - Dispositifs Electroniques
3 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation

Domaines: Sciences de l'ingénieur [physics]

D. Alfaro Robayo, D. Deleruyelle, E. Vianello, N. Castellani, L. Ciampolini, et al.. Reliability and Variability of 1S1R OxRAM-OTS for High Density Crossbar Integration. 2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Dec 2019, San Francisco, United States. pp.35.3.1-35.3.4, ⟨10.1109/IEDM19573.2019.8993439⟩. ⟨hal-03029486⟩