Internal Structuring of Silicon using THz-Repetition-Rate Trains of Ultrashort Pulses - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue OSA Technical Digest (Optical Society of America) Année : 2020

Internal Structuring of Silicon using THz-Repetition-Rate Trains of Ultrashort Pulses

Résumé

We generate and apply trains of infrared femtosecond pulses at the highest achievable repetition-rates. This gives unique multi-timescale control parameters used for improved energy deposition and reliable 3D laser writing deep inside silicon.
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Dates et versions

hal-02990021 , version 1 (05-11-2020)

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Citer

A. Wang, A. Das, D. Grojo. Internal Structuring of Silicon using THz-Repetition-Rate Trains of Ultrashort Pulses. OSA Technical Digest (Optical Society of America), 2020, pp.ATu3K.4. ⟨10.1364/CLEO_AT.2020.ATu3K.4⟩. ⟨hal-02990021⟩
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