Etude de deux structures d'onduleurs Hautes Fréquences (HF) et Très Hautes Fréquences (THF) à transistor GaN
Résumé
L’appareillage électronique tend de plus en plus à la miniaturisation. L’alimentation électrique de ces appareils électroniques doit donc suivre cette même tendance. Une façon de rendre les alimentations électriques à découpage plus petites, est d’en augmenter la fréquence de fonctionnement. L’augmentation de la fréquence de découpage jusqu’à des dizaines de Mégahertz, permet également de réaliser des inductances sans fer voire de réduire la masse du convertisseur en imprimant les inductances sur le circuit imprimé (PCB). Cependant, lorsque ces alimentations à découpage opèrent à plus de 10MHz, les structures utilisées communément, mêmes les structures résonnantes, ne sont plus adaptées. L’objectif de cet article est de présenter et de comparer deux structures d’onduleurs à résonnance adaptées à des fonctionnements à hautes fréquences (HF : 3MHz-30MHz) et très hautes fréquences (VHF : 30MHz-300MHz) pouvant prendre part dans un premier étage de convertisseur DC-DC isolé alimentant un appareil électronique; les onduleurs classe E et classe ᶲ2. Cet article fait le parallèle entre l’onduleur classe E et l’onduleur classe ᶲ2. Il montre également l’évolution de la taille des éléments magnétiques avec l’augmentation de la fréquence de découpage et les défis de la réalisation expérimentale de convertisseurs fonctionnant à 13,56MHz et à 40,68MHz(Bandes de fréquences industrielles, scientifiques et médicales).
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)