Study of Silicon Carbide high voltage ability: experimental results on expitaxial-emitter and implanted-emitter diodes

Marie-Laure Locatelli (1, 2) , Sylvie Ortolland (1, 2) , Frédéric Lanois (1, 2) , Dominique Planson (1, 2) , Thierry Billon (3) , Léa Di Cioccio (3) , Pierre-Patrick Lassagne (3)

1 CEGELY - Centre de génie électrique de Lyon
2 INSA Lyon - Institut National des Sciences Appliquées de Lyon
3 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

Domaines: Energie électrique

Marie-Laure Locatelli, Sylvie Ortolland, Frédéric Lanois, Dominique Planson, Thierry Billon, et al.. Study of Silicon Carbide high voltage ability: experimental results on expitaxial-emitter and implanted-emitter diodes. International Seminar on Silicon Carbide Semiconductor and SiC-based devices, Sep 1995, Novgorod, Russia. ⟨hal-02972067⟩