Méthode de mesure du courant de fuite de grille comme indicateur de vieillissement dédiée aux Gate Drivers
Résumé
Cet article présente une nouvelle méthode
d'estimation du courant de fuite de grille pour les composants de
type MOSFET SiC. Cette méthode est directement intégrée dans
un gate driver et permet d’assurer une mesure tant en mode « off
line » que « on line ». Elle présente l’intérêt d’exploiter la structure
naturelle des gate drivers sans une complexification excessive. Les
résultats de mesure montrent une capacité à estimer des courants
de fuite allant de 30 nA au mA. Cette méthode de mesure a été
intégrée à un gate driver industriel, ce dernier assurant également
de nombreuses autres mesures ainsi que le transfert des données
vers le contrôle commande. Ces résultats sont issus d’une étroite
collaboration avec le groupe SAFRANTECH.