Article Dans Une Revue
International Journal of Electrical and Computer Engineering
Année : 2020
jean-louis coutaz : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02950434
Soumis le : lundi 28 septembre 2020-00:22:50
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:24:13
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02950434 , version 1
- DOI : 10.11591/ijece.v10i2.pp1791-1804
Citer
A. Bellakhdar, A. Telia, Jean-Louis Coutaz. An analytical model for the current voltage characteristics of GaN-capped AlGaN/GaN and AlInN/GaN HEMTs including thermal and self-heating effects. International Journal of Electrical and Computer Engineering, 2020, 10 (2), pp.1791. ⟨10.11591/ijece.v10i2.pp1791-1804⟩. ⟨hal-02950434⟩
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