Silicon carbonitride thin films prepared by radiofrequency magnetron sputtering on Si (100) and nitrided Si (100) enhanced by an ECR plasma source. - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

Silicon carbonitride thin films prepared by radiofrequency magnetron sputtering on Si (100) and nitrided Si (100) enhanced by an ECR plasma source.

C. Robert-Goumet
G. Monier
A. Bachar
  • Fonction : Auteur
Institut de Chimie de Clermont-Ferrand
E. Tomasella
  • Fonction : Auteur
Institut de Chimie de Clermont-Ferrand
A. Bousquet
Institut de Chimie de Clermont-Ferrand
CV
C. Varenne
  • Fonction : Auteur

Domaines

Chimie

Stéphanie Bonnefoy  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02562391

Soumis le : lundi 4 mai 2020-15:54:15

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:15

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02562391 , version 1 (04-05-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02562391 , version 1

Citer

C. Robert-Goumet, G. Monier, A. Bachar, E. Tomasella, A. Bousquet, et al.. Silicon carbonitride thin films prepared by radiofrequency magnetron sputtering on Si (100) and nitrided Si (100) enhanced by an ECR plasma source.. 18th European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis (ECASIA), Sep 2019, Dresden, Germany. ⟨hal-02562391⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

PRES_CLERMONT CNRS ICC INC-CNRS CLERMONT-AUVERGNE-INP
15 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More