CdSe quantum dot formation: alternative paths to relaxation of a strained CdSe layer and influence of the capping conditions - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Nanotechnology Année : 2007

CdSe quantum dot formation: alternative paths to relaxation of a strained CdSe layer and influence of the capping conditions

I Robin
  • Fonction : Auteur
T Aichele
  • Fonction : Auteur
C. Bougerol
Nanophysique et Semiconducteurs
R Andre
Nanophysique et Semiconducteurs
CV
S. Tatarenko
  • Fonction : Auteur
Nanophysique et Semiconducteurs
E. Bellet-Amalric
Nanophysique et Semiconducteurs
B Van Daele
  • Fonction : Auteur
IMEC Leuven
G Van Tendeloo
  • Fonction : Auteur
Electron Microscopy for Materials Science - EMAT (Antwerp, Belgium)

Domaines

Physique [physics]

Regis Andre  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02547627

Soumis le : lundi 20 avril 2020-10:38:10

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:09:10

Consulter sur la plateforme ISTEX

Dates et versions

hal-02547627 , version 1 (20-04-2020)

Identifiants

Citer

I Robin, T Aichele, C. Bougerol, R Andre, S. Tatarenko, et al.. CdSe quantum dot formation: alternative paths to relaxation of a strained CdSe layer and influence of the capping conditions. Nanotechnology, 2007, 18 (26), pp.265701. ⟨10.1088/0957-4484/18/26/265701⟩. ⟨hal-02547627⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CEA UGA CNRS NEEL INAC-SP2M CEA-DRF IRIG CEA-GRE
15 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More