Low frequency noise analysis on Si/SiGe superlattice I/O n-channel FinFETs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

Low frequency noise analysis on Si/SiGe superlattice I/O n-channel FinFETs

B Cretu
Equipe Electronique - Laboratoire GREYC - UMR6072
CV
Dimitri Boudier
  • Fonction : Auteur
Equipe Electronique - Laboratoire GREYC - UMR6072
Eddy Simoen
  • Fonction : Auteur
IMEC
Geert Hellings
  • Fonction : Auteur
IMEC
T. Schram
  • Fonction : Auteur
IMEC
H. Mertens
  • Fonction : Auteur
IMEC
Dimitri Linten
  • Fonction : Auteur
IMEC

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-02438777

Soumis le : mardi 14 janvier 2020-12:55:37

Dernière modification le : mercredi 20 mars 2024-16:20:04

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02438777 , version 1 (14-01-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02438777 , version 1

Citer

B Cretu, Dimitri Boudier, Eddy Simoen, Geert Hellings, T. Schram, et al.. Low frequency noise analysis on Si/SiGe superlattice I/O n-channel FinFETs. Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), Apr 2019, Grenoble, France. ⟨hal-02438777⟩

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