Electronic Properties of WS 2 /WSe 2 Heterostructure Containing Te Impurity: The Role of Substituting Position - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue International Journal of Nanoscience Année : 2019

Electronic Properties of WS 2 /WSe 2 Heterostructure Containing Te Impurity: The Role of Substituting Position

A. Krivosheeva
  • Fonction : Auteur
V. Shaposhnikov
  • Fonction : Auteur
V. e. Borisenko
  • Fonction : Auteur

Dates et versions

hal-02414584 , version 1 (16-12-2019)

Identifiants

Citer

A. Krivosheeva, V. Shaposhnikov, V. e. Borisenko, Jean-Louis Lazzari. Electronic Properties of WS 2 /WSe 2 Heterostructure Containing Te Impurity: The Role of Substituting Position. International Journal of Nanoscience, 2019, 18 (03n04), pp.1940007. ⟨10.1142/S0219581X19400076⟩. ⟨hal-02414584⟩
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