Effects of thickness layer on the photoluminescence properties of InAlAs/GaAlAs quantum dots

A. Ben Daly , Frédéric Bernardot (1) , T. Barisien (1) , E. Galopin (2) , A. Lemaitre (3) , M. Maaref (4) , C. Testelin (5, 6, 7)

1 INSP - Institut des Nanosciences de Paris
2 IEMN - Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
3 LPN - Laboratoire de photonique et de nanostructures
4 Unité de Recherche en Physique des Semiconducteurs et Capteurs
5 INSP - Institut des Nanosciences de Paris
6 INSP-E12 - Photonique et cohérence de spin
7 INSP-E1 - Nanostructures et systèmes quantiques

Domaines: Physique [physics]

A. Ben Daly, Frédéric Bernardot, T. Barisien, E. Galopin, A. Lemaitre, et al.. Effects of thickness layer on the photoluminescence properties of InAlAs/GaAlAs quantum dots. Applied physics. A, Materials science & processing, 2016, 122 (9), ⟨10.1007/s00339-016-0336-9⟩. ⟨hal-02390121⟩