Communication Dans Un Congrès
Année : 2011
Guido Ori : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02349309
Soumis le : mardi 5 novembre 2019-15:57:54
Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:13
Citer
L. Vandelli, A. Padovani, L. Larcher, G. Broglia, Guido Ori, et al.. Comprehensive physical modeling of forming and switching operations in HfO2 RRAM devices. 2011 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Dec 2011, Washington, United States. pp.17.5.1-17.5.4, ⟨10.1109/IEDM.2011.6131574⟩. ⟨hal-02349309⟩
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