Chapitre D'ouvrage
Année : 2015
Maxime Darnon : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02339231
Soumis le : mercredi 30 octobre 2019-12:56:01
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:41:46
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02339231 , version 1
- DOI : 10.1016/B978-1-78548-015-7.50003-2
Citer
Nicolas Posseme, Maxime Darnon, Thibaut David, Thierry Chevolleau. Porous SiOCH Film Integration. Plasma Etching Processes for Interconnect Realization in VLSI, Elsevier, pp.45-76, 2015, ⟨10.1016/B978-1-78548-015-7.50003-2⟩. ⟨hal-02339231⟩
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