Chapitre D'ouvrage
Année : 2017
Maxime Darnon : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02338426
Soumis le : mercredi 30 octobre 2019-02:08:34
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:00:41
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02338426 , version 1
- DOI : 10.1016/B978-1-78548-096-6.50004-3
Citer
Maxime Darnon, Nicolas Posseme. Plasma Etch Challenges for Gate Patterning. Plasma Etching Processes for CMOS Devices Realization, Elsevier, pp.95-118, 2017, ⟨10.1016/B978-1-78548-096-6.50004-3⟩. ⟨hal-02338426⟩
Collections
19
Consultations
0
Téléchargements