High temperature oxidation of SiC under helium with low-pressure oxygen—Part 1: Sintered α-SiC

L. Charpentier; M. Balat-Pichelin; F. Audubert

doi:10.1016/j.jeurceramsoc.2010.04.025

Article Dans Une Revue Journal of the European Ceramic Society Année : 2010

High temperature oxidation of SiC under helium with low-pressure oxygen—Part 1: Sintered α-SiC

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2

L. Charpentier

Fonction : Auteur
PersonId : 182884
IdHAL : ludovic-charpentier
ORCID : 0000-0003-2153-5648
IdRef : 07648808X

M. Balat-Pichelin

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PersonId : 179089
IdHAL : marianne-balat-pichelin
ORCID : 0000-0001-9064-1618
IdRef : 093842473

Procédés, Matériaux et Energie Solaire

F. Audubert

Fonction : Auteur
PersonId : 173293
IdHAL : fabienne-audubert
ORCID : 0000-0003-1034-1186
IdRef : 077828267

Laboratoire des Technologies d'Elaboration des Combustibles

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Matériaux Milieux fluides et réactifs

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Soumis le : mercredi 23 octobre 2019-11:29:42

Dernière modification le : vendredi 19 avril 2024-10:26:03

Dates et versions

hal-02328569 , version 1 (23-10-2019)

Identifiants

HAL Id : hal-02328569 , version 1
DOI : 10.1016/j.jeurceramsoc.2010.04.025

Citer

L. Charpentier, M. Balat-Pichelin, F. Audubert. High temperature oxidation of SiC under helium with low-pressure oxygen—Part 1: Sintered α-SiC. Journal of the European Ceramic Society, 2010, 30 (12), pp.2653-2660. ⟨10.1016/j.jeurceramsoc.2010.04.025⟩. ⟨hal-02328569⟩

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