Article Dans Une Revue
Solid-State Electronics
Année : 2019
Gerard Ghibaudo : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02321909
Soumis le : lundi 21 octobre 2019-15:22:18
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:40:36
Citer
S. Sato, G. Ghibaudo, L. Benea, I. Ionica, Y. Omura, et al.. Impact of contact and channel resistance on the frequency-dependent capacitance and conductance of pseudo-MOSFET. Solid-State Electronics, 2019, 159, pp.197-203. ⟨10.1016/j.sse.2019.03.059⟩. ⟨hal-02321909⟩
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