Atomic Layer Etching at low substrate temperature - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2019
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02311308 , version 1 (10-10-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02311308 , version 1

Citer

Gaëlle Antoun, Philippe Lefaucheux, Thomas Tillocher, Remi Dussart, Kumiko Yamazaki, et al.. Atomic Layer Etching at low substrate temperature. 19th International Conference on Atomic Layer Deposition - 6th International Atomic Layer Etching Workshop, Jul 2019, Seattle, United States. ⟨hal-02311308⟩
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