Cryogenic process for Atomic Layer Etching - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

Cryogenic process for Atomic Layer Etching

Domaines

Physique des plasmas [physics.plasm-ph] Sciences de l'ingénieur [physics] Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Thomas Tillocher  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02311291

Soumis le : jeudi 10 octobre 2019-17:46:01

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:12

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02311291 , version 1 (10-10-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02311291 , version 1

Citer

Gaëlle Antoun, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Remi Dussart, Kumiko Yamazaki, et al.. Cryogenic process for Atomic Layer Etching. Plasma Etch and Strip in Microtechnology, May 2019, Grenoble, France. ⟨hal-02311291⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS UNIV-ORLEANS GREMI
17 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More