Normally-OFF GaN HEMT Fabrication Using Soft and Selective Etching of the Si3N4 Cap Layer

Meriem Bouchilaoun (1, 2) , Ali Soltani (3, 1, 2, 4) , Christophe Rodriguez (1, 2, 3, 5) , Abdelatif Jaouad (1, 2) , Hassan Maher (1, 2)

1 LN2 - Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes
2 3IT - Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke]
3 IEMN - Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
4 PUISSANCE - IEMN - Puissance - IEMN
5 OPTO - IEMN - Optoélectronique - IEMN

Domaines: Sciences de l'ingénieur [physics]

Meriem Bouchilaoun, Ali Soltani, Christophe Rodriguez, Abdelatif Jaouad, Hassan Maher. Normally-OFF GaN HEMT Fabrication Using Soft and Selective Etching of the Si3N4 Cap Layer. The compound semiconductor week (CSW), May 2018, Boston, United States. ⟨hal-02310044⟩