The onset of the oxidation of a cesiated GaAs(100) surface

M. Besancon; H. Araghi-Kozaz; R. Landers; J. Jupille

doi:10.1016/0039-6028(90)90757-Y

Article Dans Une Revue Surface Science : A Journal Devoted to the Physics and Chemistry of Interfaces Année : 1990

The onset of the oxidation of a cesiated GaAs(100) surface

(1) , , (2) , (3)

1
2
3

M. Besancon

Fonction : Auteur

Département d'Astrophysique, de physique des Particules, de physique Nucléaire et de l'Instrumentation Associée

H. Araghi-Kozaz

Fonction : Auteur

R. Landers

Fonction : Auteur

Universidade Estadual de Campinas = University of Campinas

J. Jupille

Fonction : Auteur

Surface du Verre et Interfaces

Domaines

Chimie Matériaux

marylene vayer : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02267791

Soumis le : lundi 19 août 2019-17:30:09

Dernière modification le : mercredi 3 avril 2024-10:20:12

Dates et versions

hal-02267791 , version 1 (19-08-2019)

Identifiants

HAL Id : hal-02267791 , version 1
DOI : 10.1016/0039-6028(90)90757-Y

Citer

M. Besancon, H. Araghi-Kozaz, R. Landers, J. Jupille. The onset of the oxidation of a cesiated GaAs(100) surface. Surface Science : A Journal Devoted to the Physics and Chemistry of Interfaces, 1990, 236 (1-2), pp.23-28. ⟨10.1016/0039-6028(90)90757-Y⟩. ⟨hal-02267791⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CEA CNRS DSM-IRFU SVI CEA-DRF SORBONNE-UNIVERSITE SU-SCIENCES

25 Consultations

0 Téléchargements

The onset of the oxidation of a cesiated GaAs(100) surface

Domaines

Dates et versions

Identifiants

Citer

Exporter

Collections

Altmetric

Partager