Photo-induced cubic-to-hexagonal polytype transition in silicon nanowires

S. Rodichkina (1, 2) , V. Lysenko (3) , A. Belarouci (4) , I. Bezverkhyy (5) , R. Chassagnon (5) , Mykola Isaiev (6, 7) , T. Nychyporuk (8) , V. Timoshenko (3, 1, 9, 10)

1 MSU - Lomonosov Moscow State University
2 INL - Institut des Nanotechnologies de Lyon
3 INL - S&N - INL - Spectroscopies et Nanomatériaux
4 INL - Photonique - INL - Nanophotonique
5 ICB - Laboratoire Interdisciplinaire Carnot de Bourgogne
6 Taras Shevchenko National University of Kyiv
7 LEMTA - Laboratoire d'Energétique et Mécanique Théorique et Appliquée
8 INL - PV - INL - Photovoltaïque
9 MEPhI - Moscow State Engineering Physics Institute
10 LPI RAS - P. N. Lebedev Physical Institute of the Russian Academy of Sciences [Moscow]

Domaines: Sciences de l'ingénieur [physics]; Matériaux; Micro et nanotechnologies/Microélectronique; Physique [physics]; Matière Condensée [cond-mat]; Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

S. Rodichkina, V. Lysenko, A. Belarouci, I. Bezverkhyy, R. Chassagnon, et al.. Photo-induced cubic-to-hexagonal polytype transition in silicon nanowires. CrystEngComm, 2019, ⟨10.1039/C9CE00562E⟩. ⟨hal-02237058⟩