A comparative study of the reactivity of the silicon atom Si(3PJ) towards O2 and NO molecules at very low temperature

S. Le Picard; D. Reignier; T. Stoecklin; André Canosa

doi:10.1039/b201374f

Article Dans Une Revue Physical Chemistry Chemical Physics Année : 2002

A comparative study of the reactivity of the silicon atom Si(3PJ) towards O2 and NO molecules at very low temperature

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S. Le Picard

Fonction : Auteur

D. Reignier

Fonction : Auteur

T. Stoecklin

Fonction : Auteur
PersonId : 875982

Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1

André Canosa

Fonction : Auteur
PersonId : 919
IdHAL : andre-canosa
ORCID : 0000-0001-5719-9899
IdRef : 03311420X

Physique des atomes, lasers, molécules et surfaces

CV

Domaines

Physique [physics] Astrophysique [astro-ph] Instrumentation et méthodes pour l'astrophysique [astro-ph.IM] Chimie-Physique [physics.chem-ph]

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Soumis le : mercredi 19 juin 2019-13:47:22

Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:12

Dates et versions

hal-02160191 , version 1 (19-06-2019)

Identifiants

HAL Id : hal-02160191 , version 1
DOI : 10.1039/b201374f

Citer

S. Le Picard, D. Reignier, T. Stoecklin, André Canosa. A comparative study of the reactivity of the silicon atom Si(3PJ) towards O2 and NO molecules at very low temperature. Physical Chemistry Chemical Physics, 2002, 4 (15), pp.3659-3664. ⟨10.1039/b201374f⟩. ⟨hal-02160191⟩

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