Communication Dans Un Congrès
Année : 2018
MOHAMED-AMINE GUERBOUKHA : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02157692
Soumis le : lundi 17 juin 2019-11:47:08
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:17:21
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02157692 , version 1
Citer
Elénore Letty, Mohamed-Amine Guerboukha, Jordi Veirman, Wilfried Favre, Mustapha Lemiti. On the Nature and Recombination Properties of the Defect Responsible for the Carrier-Induced Lifetime Degradation in Uncompensated N-Type Cz Silicon. MRS, Nov 2018, Boston, United States. ⟨hal-02157692⟩
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