Article Dans Une Revue
physica status solidi (a)
Année : 2017
Gael Gautier : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://univ-tours.hal.science/hal-02152388
Soumis le : mardi 11 juin 2019-14:03:00
Dernière modification le : vendredi 1 mars 2024-18:20:03
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Guillaume Gomme, Gaël Gautier, Marc Portail, Eric Frayssinet, Daniel Alquier, et al.. A detailed study of AlN and GaN grown on silicon-on-porous silicon substrate. physica status solidi (a), 2017, 214 (4), pp.1600450. ⟨10.1002/pssa.201600450⟩. ⟨hal-02152388⟩
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