Low Temperature Characterization of Hole Mobility in Sub-14nm Gate Length Si 0.7 Ge 0.3 Tri-Gate pMOSFETs

R. Lavieville (1) , C. Le Royer (2) , S. Barraud (2) , G. Ghibaudo (1)

1 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
2 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

Domaines: Micro et nanotechnologies/Microélectronique

R. Lavieville, C. Le Royer, S. Barraud, G. Ghibaudo. Low Temperature Characterization of Hole Mobility in Sub-14nm Gate Length Si 0.7 Ge 0.3 Tri-Gate pMOSFETs. 12th International Workshop on Low Temperature Electronics (WOLTE-12), Sep 2016, Tempe, United States. ⟨hal-02072793⟩