In-situ transmission electron microscopy studies of the crystallization of N-doped Ge-rich GeSbTe materials - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue MRS Communications Année : 2018

In-situ transmission electron microscopy studies of the crystallization of N-doped Ge-rich GeSbTe materials

Marta Agati
  • Fonction : Auteur
François Renaud
  • Fonction : Auteur
Daniel Benoit
  • Fonction : Auteur
Alain Claverie
Matériaux et dispositifs pour l'Electronique et le Magnétisme

Domaines

Physique [physics]

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https://hal.science/hal-02061850

Soumis le : vendredi 8 mars 2019-13:30:02

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:15

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hal-02061850 , version 1 (08-03-2019)

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Citer

Marta Agati, François Renaud, Daniel Benoit, Alain Claverie. In-situ transmission electron microscopy studies of the crystallization of N-doped Ge-rich GeSbTe materials. MRS Communications, 2018, 8 (03), pp.1145-1152. ⟨10.1557/mrc.2018.168⟩. ⟨hal-02061850⟩

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