Fast integral rigorous modeling applied to wafer topography effect prediction on 2x nm bulk technologies - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Fast integral rigorous modeling applied to wafer topography effect prediction on 2x nm bulk technologies

Kafai Lai
  • Fonction : Auteur
Andreas Erdmann
  • Fonction : Auteur
J.-C. Michel
  • Fonction : Auteur
J.-C. Le Denmat
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02043193 , version 1 (20-02-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02043193 , version 1

Citer

Kafai Lai, Andreas Erdmann, J.-C. Michel, J.-C. Le Denmat, A. Tishchenko, et al.. Fast integral rigorous modeling applied to wafer topography effect prediction on 2x nm bulk technologies. SPIE Advanced Lithography, Feb 2014, San Jose, United States. pp.905223. ⟨hal-02043193⟩
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