Atténuateur Actif pour les Applications en Bande D réalisé en technologie BiCMOS 55 nm - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2015

Atténuateur Actif pour les Applications en Bande D réalisé en technologie BiCMOS 55 nm

Domaines

Electronique Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Pascal XAVIER  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02021512

Soumis le : samedi 16 février 2019-09:24:08

Dernière modification le : vendredi 26 avril 2024-03:29:27

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02021512 , version 1 (16-02-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02021512 , version 1

Citer

Alice Bossuet, Thomas Quémerais, Estelle Lauga-Larroze, Jean-Michel Fournier, Christophe Gaquière, et al.. Atténuateur Actif pour les Applications en Bande D réalisé en technologie BiCMOS 55 nm. 19èmes Journées Nationales Micro-ondes, Jun 2015, Bordeaux, France. ⟨hal-02021512⟩

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