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Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Visualizing the incipient Atomic Layer Deposition of ZnO ultra thin films on In0.53Ga0.47As for tailoring contact resistivity

Domaines

Matériaux
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02016907 , version 1 (13-02-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02016907 , version 1

Citer

E. Skopin, M.I. Richard, L. Rapenne, A. Crisci, E. Blanquet, et al.. Visualizing the incipient Atomic Layer Deposition of ZnO ultra thin films on In0.53Ga0.47As for tailoring contact resistivity. E-MRS Spring 2017, May 2017, Strasbourg, France. ⟨hal-02016907⟩
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