Electronic structure and electron mobility in Si 1– x Ge x nanowires

Gabriel Mugny; Jing Li; François Triozon; Yann-Michel Niquet; Denis Rideau; Christophe Li

doi:10.1063/1.4975066

Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2017

Electronic structure and electron mobility in Si 1– x Ge x nanowires

(1) , (2) , (3) , (4) , (5) ,

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5

Gabriel Mugny

Fonction : Auteur

Université de Genève = University of Geneva

Jing Li

Fonction : Auteur
PersonId : 960740

Théorie de la Matière Condensée

François Triozon

Fonction : Auteur

Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

Yann-Michel Niquet

Fonction : Auteur

Laboratory of Atomistic Simulation

Denis Rideau

Fonction : Auteur

STMicroelectronics [Crolles]

Christophe Li

Fonction : Auteur

Domaines

Physique [physics]

Armelle Michetti : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02015130

Soumis le : mardi 12 février 2019-08:18:36

Dernière modification le : mercredi 24 avril 2024-11:28:54

Dates et versions

hal-02015130 , version 1 (12-02-2019)

Identifiants

HAL Id : hal-02015130 , version 1
DOI : 10.1063/1.4975066

Citer

Gabriel Mugny, Jing Li, François Triozon, Yann-Michel Niquet, Denis Rideau, et al.. Electronic structure and electron mobility in Si 1– x Ge x nanowires. Applied Physics Letters, 2017, 110 (5), pp.052102. ⟨10.1063/1.4975066⟩. ⟨hal-02015130⟩

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