On Photoelectrical Properties of 6H-SiC Bulk Crystals PVT-Grown on 6H- and 4H-SiC Substrates - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Materials Science Forum Année : 2014

On Photoelectrical Properties of 6H-SiC Bulk Crystals PVT-Grown on 6H- and 4H-SiC Substrates

Domaines

Matériaux
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02012879 , version 1 (09-02-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02012879 , version 1

Citer

Gediminas Liaugaudas, Kestutis Jarašiunas, Nikolaos Tsavdaris, Eirini Sarigiannidou, Didier Chaussende. On Photoelectrical Properties of 6H-SiC Bulk Crystals PVT-Grown on 6H- and 4H-SiC Substrates. Materials Science Forum, 2014, 778-780, pp.305-308. ⟨hal-02012879⟩
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