Efficient Electrical Transport through an InP‐on‐Si Hybrid Interface bonded at 300°C - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2018
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02012792 , version 1 (09-02-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02012792 , version 1

Citer

Anne Talneau, G Beaudoin, Frédérique Ducroquet, Gilles Patriarche. Efficient Electrical Transport through an InP‐on‐Si Hybrid Interface bonded at 300°C. Micro & NanoEngineering (MNE) 2018, Sep 2018, Copenhague, Denmark. ⟨hal-02012792⟩
19 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More