Development of Atomic Layer Etching (ALEt) for GaN-based materials

Congying You , C. Mannequin (1) , G. Jacopin (2) , T. Chevolleau (1) , C. Durand (3) , C. Vallee (1) , H. Mariette (4) , M. Sasaki , E. Gheeraert (5)

1 LTM - Laboratoire des technologies de la microélectronique
2 IEF - Institut d'électronique fondamentale
3 IEMN - Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
4 NEEL - NPSC - Nanophysique et Semiconducteurs
5 NEEL - SC2G - Semi-conducteurs à large bande interdite

Domaines: Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Congying You, C. Mannequin, G. Jacopin, T. Chevolleau, C. Durand, et al.. Development of Atomic Layer Etching (ALEt) for GaN-based materials. International Workshop on Nitride Semiconductors, Nov 2018, Kanazawa, Japan. ⟨hal-02008012⟩