Investigation of Si3N4 as inert buffer layer for MgH2 thin films - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2018

Investigation of Si3N4 as inert buffer layer for MgH2 thin films

Laetitia Laversenne
Matériaux, Rayonnements, Structure
Huy Le-Quoc
  • Fonction : Auteur
The University of Danang, University of Science and Technology
Marie Coste
  • Fonction : Auteur
Ana Lacoste
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1271176
Laboratoire de Physique Subatomique et de Cosmologie
Stéphanie Kodjikian
Optique & Microscopies

Domaines

Chimie Matériaux

Laetitia Laversenne  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02001840

Soumis le : jeudi 31 janvier 2019-13:48:41

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:12

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02001840 , version 1 (31-01-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02001840 , version 1

Citer

Laetitia Laversenne, Huy Le-Quoc, Marie Coste, Ana Lacoste, Stéphanie Kodjikian. Investigation of Si3N4 as inert buffer layer for MgH2 thin films. 3rd International Symposium on Materials for Energy Storage and Conversion (mESC−IS 2018), Sep 2018, Belgrade, Serbia. ⟨hal-02001840⟩

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