In-situ biasing of semiconducting NWs in transmission electron microscopy: doping quantification and contact formation - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

In-situ biasing of semiconducting NWs in transmission electron microscopy: doping quantification and contact formation

M. den Hertog
Matériaux, Rayonnements, Structure

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Martien den Hertog  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02001717

Soumis le : jeudi 31 janvier 2019-12:22:32

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:38:28

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02001717 , version 1 (31-01-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02001717 , version 1

Citer

M. den Hertog. In-situ biasing of semiconducting NWs in transmission electron microscopy: doping quantification and contact formation. APMAS Conference, Jun 2016, Istanbul, Turkey. ⟨hal-02001717⟩

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