Mechanism of Conductivity in n-ZrNiSn Intermetallic Semiconductor Doped with Yttrium Acceptor Impurity - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Ukrainian Journal of Physics Année : 2009

Mechanism of Conductivity in n-ZrNiSn Intermetallic Semiconductor Doped with Yttrium Acceptor Impurity

Yu.V. Stadnyk
  • Fonction : Auteur
A.M. Horyn
  • Fonction : Auteur
E.K. Hlil
  • Fonction : Auteur
Magnétisme et Supraconductivité
D. Fruchart
  • Fonction : Auteur
Micro et NanoMagnétisme
Yu.K. Gorelenko
  • Fonction : Auteur
L.P Romaka
  • Fonction : Auteur

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

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Identifiants

  • HAL Id : hal-01995731 , version 1

Citer

Yu.V. Stadnyk, A.M. Horyn, E.K. Hlil, D. Fruchart, Yu.K. Gorelenko, et al.. Mechanism of Conductivity in n-ZrNiSn Intermetallic Semiconductor Doped with Yttrium Acceptor Impurity. Ukrainian Journal of Physics, 2009, 54, pp.1194. ⟨hal-01995731⟩

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