Article Dans Une Revue
Journal of thermoelectricity
Année : 2013
El Kebir HLIL : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01995647
Soumis le : dimanche 27 janvier 2019-13:04:21
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:27:58
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01995647 , version 1
Citer
V.A. Romaka, Yu.V. Stadnyk, P. Rogl, V.V. Romaka, E.K. Hlil, et al.. Effet of Doping in n-ZrNiSn intermetallic semiconductor with Bi donor impurity on thermoelectric power factor Z*. Journal of thermoelectricity, 2013, 2, pp.50. ⟨hal-01995647⟩
27
Consultations
0
Téléchargements